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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BF1107,215

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BF1107,215

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BF1107,215
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BF1107,215
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BF1107,215
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche BF1107,215

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor N-Manica
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente 10mA
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata 3V
Pacchetto/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-236AB (SOT23)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BF1107,215

Rilevazione

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