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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888ESU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888ESU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888ESU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888ESU
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF888ESU
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 104V 17DB SOT539B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF888ESU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 600MHz ~ 700MHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 600mA
Uscita elettrica 750W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT539B
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF888ESU

Rilevazione

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