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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF1721M8LS200U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF1721M8LS200U

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF1721M8LS200U
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF1721M8LS200U
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF1721M8LS200U
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 65V 19DB SOT502B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF1721M8LS200U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 19dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 2A
Uscita elettrica 55W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT502B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF1721M8LS200U

Rilevazione

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