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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DSU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DSU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DSU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF888DSU
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF888DSU
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 104V 21DB SOT539B di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF888DSU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 860MHz
Guadagno 21dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.3A
Uscita elettrica 250W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT539B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF888DSU

Rilevazione

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