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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF188XRGJ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF188XRGJ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF188XRGJ
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF188XRGJ
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di BLF188XRGJ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 108MHz
Guadagno 24.4dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 40mA
Uscita elettrica 1400W
Tensione - stimata 135V
Pacchetto/caso SOT-1248C
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1248C
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF188XRGJ

Rilevazione

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