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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > BLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF888B, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 104V 21DB SOT539A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF888B, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 860MHz
Guadagno 21dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.3A
Uscita elettrica 250W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF888B, 112 che imballano

Rilevazione

BLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF888B, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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