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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50GNR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50GNR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50GNR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50GNR5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF1K50GNR5
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
POTERE A LARGA BANDA LDMOS TRANSIST DI RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF1K50GNR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.8MHz ~ 500MHz
Guadagno 23dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica 1500W
Tensione - stimata 50V
Pacchetto/caso OM-1230G-4L
Pacchetto del dispositivo del fornitore OM-1230G-4L
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF1K50GNR5

Rilevazione

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