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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO4614B_101

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO4614B_101

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO4614B_101
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO4614B_101

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO4614B_101

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO4614B_101

descrizione
Numero del pezzo: AO4614B_101 Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche AO4614B_101

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 40V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6A, 5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 10.8nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 650pF @ 20V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare AO4614B_101

Rilevazione

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