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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSO612CV

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSO612CV

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSO612CV
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSO612CV

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSO612CV

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSO612CV

descrizione
Numero del pezzo: BSO612CV Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: SIPMOS®

Specifiche di BSO612CV

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 3A, 2A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 20µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 340pF @ 25V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore P-DSO-8
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BSO612CV

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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