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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF

descrizione
Numero del pezzo: IRF8513TRPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

Specifiche di IRF8513TRPBF

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 8A, 11A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs mOhm 15,5 @ 8A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.35V @ 25µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 766pF @ 15V
Massimo elettrico 1.5W, 2.4W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF8513TRPBF

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF8513TRPBF 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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