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SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D

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SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D

SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D
SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D

Grande immagine :  SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D

descrizione
Numero del pezzo: SSM6N48FU, RF (D Produttore: Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

SSM6N48FU, rf (specifiche di D

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico, azionamento 2.5V
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 100mA (tum)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 3,2 ohm @ 10mA, 4V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 100µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 15.1pF @ 3V
Massimo elettrico 300mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore US6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

SSM6N48FU, rf (imballaggio di D

Rilevazione

SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D 0SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D 1SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D 2SSM6N48FU, rf (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di D 3

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Persona di contatto: Darek

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