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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON2801L#A

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON2801L#A
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON2801L#A
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON2801L#A
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (144 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON2801L#A

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON2801L#A

descrizione

Numero del pezzo:	AON2801L#A	Produttore:	Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione:	MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di AON2801L#A

Stato della parte	Obsoleto
Tipo del FET	2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	3A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	700pF @ 10V
Massimo elettrico	1.5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-WDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore	6-DFN (2x2)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di AON2801L#A

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON2801L#A 0

Prodotto Tag:

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