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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON6920_001

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON6920_001

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON6920_001
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON6920_001

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON6920_001

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON6920_001

descrizione
Numero del pezzo: AON6920_001 Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5X6DFN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche AON6920_001

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi) asimmetrici
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 15A, 26.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 5,2 mOhm @ 20A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1560pF @ 15V
Massimo elettrico 2W, 2.2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-PowerWDFN
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-DFN (5x6)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare AON6920_001

Rilevazione

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