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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8814#A

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8814#A

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8814#A
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8814#A

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8814#A

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8814#A

descrizione
Numero del pezzo: AO8814#A Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di AO8814#A

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET Scolo comune (doppio) di N-Manica 2
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C -
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 16 mOhm @ 7.5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1390pF @ 10V
Massimo elettrico 1.5W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-TSSOP (0,173", larghezza di 4.40mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-TSSOP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di AO8814#A

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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