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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4924L

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4924L

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4924L
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4924L

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4924L

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4924L

descrizione
Numero del pezzo: AO4924L Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: SRFET™

Specifiche di AO4924L

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C -
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs mOhm 15,8 @ 9A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1885pF @ 15V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di AO4924L

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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