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AO4818BL_101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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AO4818BL_101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Grande immagine :  AO4818BL_101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

AO4818BL_101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descrizione
Numero del pezzo: AO4818BL_101 Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

AO4818BL_101 Specifications

Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 888pF @ 15V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

AO4818BL_101 Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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