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SSM6P47NU, SE (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di T

Name: SSM6P47NU, SE (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di T
Brand: SSM6P47NU, SE (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di T
SKU: SSM6P47NU, SE (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di T
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (123 reviews)

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SSM6P47NU, SE (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di T

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

SSM6P47NU, SE (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di T

descrizione

Numero del pezzo:	SSM6P47NU, SE (T	Produttore:	Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione:	MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

SSM6P47NU, SE (specifiche di T

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	4A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	95 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	290pF @ 10V
Massimo elettrico	1W
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-WDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore	6-UDFN (2x2)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

SSM6P47NU, SE (imballaggio di T

Rilevazione

SSM6P47NU, SE (matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di T 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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