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SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

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SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

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Grande immagine :  SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

descrizione
Numero del pezzo: SSM6P15FE (TE85L, F) Produttore: Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

SSM6P15FE (TE85L, F) specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 100mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 12 ohm @ 10mA, 4V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.7V @ 100µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 9.1pF @ 3V
Massimo elettrico 150mW
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto del dispositivo del fornitore ES6 (1.6x1.6)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

SSM6P15FE (TE85L, F) imballare

Rilevazione

SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 0SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 1SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2SSM6P15FE (TE85L, F) matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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