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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K1NTN

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K1NTN
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K1NTN
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K1NTN
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (137 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K1NTN

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K1NTN

descrizione

Numero del pezzo:	UM6K1NTN	Produttore:	Rohm semiconduttore
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di UM6K1NTN

Stato della parte	Non per le nuove progettazioni
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	100mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	8 ohm @ 10mA, 4V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1.5V @ 100µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	-
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	13pF @ 5V
Massimo elettrico	150mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore	UMT6
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di UM6K1NTN

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K1NTN 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

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