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SSM6N44FE, matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LM

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SSM6N44FE, matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LM

SSM6N44FE, matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LM
SSM6N44FE, matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LM

Grande immagine :  SSM6N44FE, matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LM

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

SSM6N44FE, matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di LM

descrizione
Numero del pezzo: SSM6N44FE, LM Produttore: Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

SSM6N44FE, specifiche di LM

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 100mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 4 ohm @ 10mA, 4V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 100µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 8.5pF @ 3V
Massimo elettrico 150mW
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto del dispositivo del fornitore ES6 (1.6x1.6)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

SSM6N44FE, imballaggio di LM

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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