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SSM6N7002KFU, SE matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

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SSM6N7002KFU, SE matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

SSM6N7002KFU, SE matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo
SSM6N7002KFU, SE matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Grande immagine :  SSM6N7002KFU, SE matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

SSM6N7002KFU, SE matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

descrizione
Numero del pezzo: SSM6N7002KFU, SE Produttore: Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

SSM6N7002KFU, SE specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 300mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 1,5 ohm @ 100mA, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 40pF @ 10V
Massimo elettrico 285mW
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore US6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

SSM6N7002KFU, SE imballando

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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