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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CAS325M12HM2

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CAS325M12HM2
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CAS325M12HM2
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CAS325M12HM2
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (141 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CAS325M12HM2

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CAS325M12HM2

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CAS325M12HM2

descrizione

Numero del pezzo:	CAS325M12HM2	Produttore:	Cree/Wolfspeed
Descrizione:	MODULO del MOSFET 2N-CH 1200V 444A	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	Z-REC™

Specifiche CAS325M12HM2

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (mezzo ponte)
Caratteristica del FET	Carburo di silicio (sic)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	444A (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	4,3 mOhm @ 400A, 20V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	4V @ 105mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	1127nC @ 20V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	-
Massimo elettrico	3000W
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Montaggio del tipo	-
Pacchetto/caso	Modulo
Pacchetto del dispositivo del fornitore	Modulo
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

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