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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BSM300D12P2E001

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BSM300D12P2E001

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BSM300D12P2E001
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BSM300D12P2E001

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BSM300D12P2E001

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BSM300D12P2E001

descrizione
Numero del pezzo: BSM300D12P2E001 Produttore: Rohm semiconduttore
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 300A Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche BSM300D12P2E001

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (mezzo ponte)
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 300A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 68mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 35000pF @ 10V
Massimo elettrico 1875W
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto del telaio
Pacchetto/caso Modulo
Pacchetto del dispositivo del fornitore Modulo
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BSM300D12P2E001

Rilevazione

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