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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CCS020M12CM2

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CCS020M12CM2
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CCS020M12CM2
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CCS020M12CM2
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (105 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CCS020M12CM2

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CCS020M12CM2

descrizione

Numero del pezzo:	CCS020M12CM2	Produttore:	Cree/Wolfspeed
Descrizione:	MODULO del MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	Z-Rec®

Specifiche CCS020M12CM2

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	6 N-Manica (ponte trifase)
Caratteristica del FET	Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	29.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	98 mOhm @ 20A, 20V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	2.2V @ 1mA (tipo)
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	61.5nC @ 20V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	900pF @ 800V
Massimo elettrico	167W
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto del telaio
Pacchetto/caso	Modulo
Pacchetto del dispositivo del fornitore	Modulo
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare CCS020M12CM2

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CCS020M12CM2 0

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