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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G

descrizione
Numero del pezzo: TC8020K6-G Produttore: Tecnologia del microchip
Descrizione: MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di TC8020K6-G

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 6 N e 6 P-Manica
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 200V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C -
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 8 ohm @ 1A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.4V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 50pF @ 25V
Massimo elettrico -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 56-VFQFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore 56-QFN (8x8)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di TC8020K6-G

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di TC8020K6-G 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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