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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP1046UFDB-7

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP1046UFDB-7

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP1046UFDB-7
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP1046UFDB-7

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP1046UFDB-7

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP1046UFDB-7

descrizione
Numero del pezzo: DMP1046UFDB-7 Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche DMP1046UFDB-7

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 12V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 3.8A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 17.9nC @ 8V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 915pF @ 6V
Massimo elettrico 1.4W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-UDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore U-DFN2020-6 (tipo B)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare DMP1046UFDB-7

Rilevazione

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