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NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine :  NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descrizione
Numero del pezzo: NTJD1155LT1G Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

NTJD1155LT1G Specifications

Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 400mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

NTJD1155LT1G Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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