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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6320C

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6320C

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6320C
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6320C

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6320C

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6320C

descrizione
Numero del pezzo: FDC6320C Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di FDC6320C

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 25V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 220mA, 120mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 4 ohm @ 400mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 9.5pF @ 10V
Massimo elettrico 700mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-23-6 sottile, TSOT-23-6
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-SSOT
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDC6320C

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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