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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897AC

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897AC

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897AC
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897AC

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897AC

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897AC

descrizione
Numero del pezzo: FDS4897AC Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDS4897AC

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 40V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6.1A, 5.2A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 26 mOhm @ 6.1A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1055pF @ 20V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDS4897AC

Rilevazione

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