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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS6912A

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS6912A

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS6912A
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS6912A

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS6912A

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS6912A

descrizione
Numero del pezzo: FDS6912A Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDS6912A

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 28 mOhm @ 6A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 8.1nC @ 5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 575pF @ 15V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Fabbrica originale nuova.

Imballaggio di FDS6912A

Rilevazione

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