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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF

descrizione
Numero del pezzo: IRF7501TRPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

Specifiche di IRF7501TRPBF

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 2.4A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 700mV @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 260pF @ 15V
Massimo elettrico 1.25W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza di 3.00mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore Micro8™
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF7501TRPBF

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7501TRPBF 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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