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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON5802ALS

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON5802ALS

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON5802ALS
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON5802ALS

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON5802ALS

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AON5802ALS

descrizione
Numero del pezzo: AON5802ALS Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH DFN DOPPIO Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: *

Specifiche di AON5802ALS

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del FET -
Caratteristica del FET -
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) -
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C -
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ -
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds -
Massimo elettrico -
Temperatura di funzionamento -
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-WDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-DFN (2x5)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di AON5802ALS

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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