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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (194 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001

descrizione

Numero del pezzo:	AO7600_001	Produttore:	Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione:	MOSFET N/P-CH SC70-6	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche AO7600_001

Stato della parte	Affare di ultima volta
Tipo del FET	N e P-Manica complementari
Caratteristica del FET	Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	900mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	300 mOhm @ 900mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	900mV @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	1.9nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	120pF @ 10V
Massimo elettrico	300mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore	SC-70-6 (SOT-363)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare AO7600_001

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AO7600_001 0

Prodotto Tag:

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