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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4935A

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4935A

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4935A
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4935A

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4935A

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4935A

descrizione
Numero del pezzo: FDS4935A Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDS4935A

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 7A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 23 mOhm @ 7A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 21nC @ 5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1233pF @ 15V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SOIC
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDS4935A

Rilevazione

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