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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7380TRPBF

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7380TRPBF

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7380TRPBF
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7380TRPBF

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7380TRPBF

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7380TRPBF

descrizione
Numero del pezzo: IRF7380TRPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

Specifiche di IRF7380TRPBF

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 80V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 3.6A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 73 mOhm @ 2.2A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 660pF @ 25V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF7380TRPBF

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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