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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002V

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002V

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002V
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002V

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002V

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002V

descrizione
Numero del pezzo: 2N7002V Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche 2N7002V

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 280mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 7,5 ohm @ 50mA, 5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 50pF @ 25V
Massimo elettrico 250mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-563F
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare 2N7002V

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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