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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G

descrizione
Numero del pezzo: NTZD5110NT1G Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di NTZD5110NT1G

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 294mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 1,6 ohm @ 500mA, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 24.5pF @ 20V
Massimo elettrico 250mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-563
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTZD5110NT1G

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTZD5110NT1G 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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