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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F

descrizione
Numero del pezzo: 2N7002DW-7-F Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche 2N7002DW-7-F

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 230mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 7,5 ohm @ 50mA, 5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 50pF @ 25V
Massimo elettrico 310mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-363
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare 2N7002DW-7-F

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2N7002DW-7-F 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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