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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FG6943010R

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FG6943010R

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FG6943010R
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FG6943010R

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FG6943010R

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FG6943010R

descrizione
Numero del pezzo: FG6943010R Produttore: Componenti elettronici di Panasonic
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di FG6943010R

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 100mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ -
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds -
Massimo elettrico -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto del dispositivo del fornitore SSMini6-F3-B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FG6943010R

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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