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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PMDXB600UNE

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PMDXB600UNE
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PMDXB600UNE
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PMDXB600UNE
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (178 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PMDXB600UNE

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PMDXB600UNE

descrizione

Numero del pezzo:	PMDXB600UNE	Produttore:	Nexperia USA Inc.
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	TrenchFET®

Specifiche di PMDXB600UNE

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	600mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	950mV @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	21.3pF @ 10V
Massimo elettrico	265mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-XFDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore	6-DFN (1.1x1)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di PMDXB600UNE

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

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