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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT

descrizione
Numero del pezzo: FDME1034CZT Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDME1034CZT

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 3.8A, 2.6A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 300pF @ 10V
Massimo elettrico 600mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-UFDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-MicroFET (1.6x1.6)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDME1034CZT

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDME1034CZT 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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