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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6332C

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6332C

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6332C
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6332C

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6332C

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6332C

descrizione
Numero del pezzo: FDG6332C Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDG6332C

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 700mA, 600mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 113pF @ 10V
Massimo elettrico 300mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore SC-70-6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDG6332C

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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