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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G

descrizione
Numero del pezzo: NTGD4167CT1G Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di NTGD4167CT1G

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 2.6A, 1.9A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 295pF @ 15V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-23-6 sottile, TSOT-23-6
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-TSOP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTGD4167CT1G

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTGD4167CT1G 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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