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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN32D2LV-7

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN32D2LV-7

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN32D2LV-7
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN32D2LV-7

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN32D2LV-7

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN32D2LV-7

descrizione
Numero del pezzo: DMN32D2LV-7 Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche DMN32D2LV-7

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 400mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 1,2 ohm @ 100mA, 4V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 39pF @ 3V
Massimo elettrico 400mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-563
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare DMN32D2LV-7

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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