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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMA1028NZ

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMA1028NZ

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMA1028NZ
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMA1028NZ

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMA1028NZ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMA1028NZ

descrizione
Numero del pezzo: FDMA1028NZ Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6-MICROFET Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDMA1028NZ

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 3.7A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 340pF @ 10V
Massimo elettrico 700mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-WDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-MicroFET (2x2)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDMA1028NZ

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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