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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6506P

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6506P

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6506P
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6506P

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6506P

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDC6506P

descrizione
Numero del pezzo: FDC6506P Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDC6506P

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 1.8A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 3.5nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 190pF @ 15V
Massimo elettrico 700mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-23-6 sottile, TSOT-23-6
Pacchetto del dispositivo del fornitore SuperSOT™-6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDC6506P

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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