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FDS9926A Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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FDS9926A Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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FDS9926A Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine :  FDS9926A Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

FDS9926A Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descrizione
Numero del pezzo: FDS9926A Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

FDS9926A Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 10V
Power - Max 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

FDS9926A Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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