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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3

descrizione
Numero del pezzo: SIA910EDJ-T1-GE3 Produttore: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: TrenchFET®

Specifiche SIA910EDJ-T1-GE3

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 12V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 4.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 16nC @ 8V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 455pF @ 6V
Massimo elettrico 7.8W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso PowerPAK® SC-70-6 doppio
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerPAK® SC-70-6 doppio
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare SIA910EDJ-T1-GE3

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIA910EDJ-T1-GE3 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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