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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NDC7001C

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NDC7001C

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NDC7001C
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NDC7001C

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NDC7001C

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NDC7001C

descrizione
Numero del pezzo: NDC7001C Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V SSOT6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di NDC7001C

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 510mA, 340mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 2 ohm @ 510mA, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 20pF @ 25V
Massimo elettrico 700mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-23-6 sottile, TSOT-23-6
Pacchetto del dispositivo del fornitore SuperSOT™-6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NDC7001C

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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