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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (195 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA

descrizione

Numero del pezzo:	ZXMHC6A07T8TA	Produttore:	Diodi incorporati
Descrizione:	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di ZXMHC6A07T8TA

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N e 2 P-Manica (H-ponte)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	1.6A, 1.3A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	3.2nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	166pF @ 40V
Massimo elettrico	1.3W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	SOT-223-8
Pacchetto del dispositivo del fornitore	SM8
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di ZXMHC6A07T8TA

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMHC6A07T8TA 0

Prodotto Tag:

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